Բարձր էներգիայի կիսահաղորդչային լազերային զարգացման մասի ակնարկ

Բարձր հզորության ակնարկԿիսահաղորդչային լազերԶարգացման մաս մեկը

Քանի որ արդյունավետությունն ու ուժը շարունակում են բարելավել, լազերային դիոդներ (Լազերային դիոդների վարորդ) կշարունակի փոխարինել ավանդական տեխնոլոգիաները, դրանով իսկ փոխելով իրերի պատրաստման եւ նոր իրերի զարգացումը հնարավոր դարձնելու ձեւը: Բարձր էներգիայի կիսահաղորդչային լազերների զգալի բարելավման մասին է նաեւ ընկալումը նույնպես սահմանափակ է: Էլեկտրոնների փոխարկումը կիսահաղորդիչների միջոցով առաջին անգամ ցուցադրվել է 1962-ին, եւ դրան հետեւել են լրացուցիչ առաջխաղացման լայն միջոցներ, որոնք հսկայական առաջընթացներ են առաջացրել բարձր արտադրողականության լազերների վերածելուց: Այս առաջընթացներն աջակցել են օպտիկական պահեստավորման կարեւոր ծրագրերին օպտիկական ցանցեր դեպի արդյունաբերական ոլորտների լայն տեսականի:

Այս առաջխաղացման եւ նրանց կուտակային առաջընթացի ակնարկը կարեւորում է տնտեսության շատ ոլորտներում նույնիսկ ավելի մեծ եւ ավելի տարածված ազդեցության ներուժը: Փաստորեն, բարձր էներգիայի կիսահաղորդչային լազերների շարունակական բարելավմամբ, դրա կիրառման դաշտը կարագացնի ընդլայնումը եւ խորը ազդեցություն կունենա տնտեսական աճի վրա:

Գծապատկեր 1. Լուսավորության եւ Moore- ի բարձր էներգիայի կիսահաղորդչային լազերների համեմատություն

Դիոդ-պոմպացված պինդ վիճակի լազերներ եւՕպտիկամանրաթելային լազերներ

Բարձր էներգիայի կիսահաղորդչային լազերների առաջընթացը հանգեցրել է նաեւ ներքեւի լազերային տեխնոլոգիաների զարգացմանը, որտեղ կիսահաղորդչային լազերները սովորաբար օգտագործվում են հեգնման (պոմպի) բյուրեղներ (դիոդի լազերներ):

Չնայած կիսահաղորդչային լազերներն ապահովում են արդյունավետ, փոքր եւ ցածր գնային լազերային էներգիա, նրանք ունեն նաեւ երկու հիմնական սահմանափակում. Նրանք չեն պահում էներգիան, եւ դրանց պայծառությունը սահմանափակ է: Ըստ էության, շատ դիմումներ պահանջում են երկու օգտակար լազեր. Մեկը օգտագործվում է էլեկտրաէներգիան լազերային արտանետման վերածելու համար, իսկ մյուսը օգտագործվում է այդ արտանետման պայծառությունը բարձրացնելու համար:

Diode-Pumped Solid-State Lasers.
1980-ականների վերջին, կիսահաղորդչային լազերների օգտագործումը `պինդ վիճակի լազերներ մղելու համար սկսեց զգալի առեւտրային հետաքրքրություն առաջացնել: Diode-Pumped Solid-State LaSers- ը (DPSSL) կտրուկ նվազեցնում է ջերմային կառավարման համակարգերի (հիմնականում ցիկլային հովացուցիչների) չափը եւ բարդությունը եւ ձեռք բերելու մոդուլներ, որոնք պատմականորեն օգտագործում են աղեղային լամպեր `պոմպային լազերային բյուրեղներ մղելու համար:

Կիսահաղորդչային լազերային ալիքի երկարությունը ընտրվում է սպեկտրալ կլանման բնութագրերի համընկնման հիման վրա `ամուր պետության լազերային լազերային միջոցի միջոցով, որը կարող է էապես նվազեցնել ջերմային բեռը` աղեղ լամպի լայնաշերտ արտանետման սպեկտրի համեմատ: Հաշվի առնելով 1064NM ալիքի երկարության արտանետվող Neodymium- ի դոպի լազերների ժողովրդականությունը, 808NM կիսահաղորդչային լազերը դարձել է ամենաարդյունավետ արտադրանքը կիսահաղորդչային լազերային արտադրության մեջ ավելի քան 20 տարի:

Երկրորդ սերնդի բարելավված Diode Pumping- ի արդյունավետությունը հնարավոր դարձավ բազմաբնույթ կիսամյակային կիսահաղորդչային լազերների մեծ պայծառությամբ եւ 2000-ականների կեսերին մեծ քանակությամբ ներկառուցված գծապատկերներ օգտագործելու համար: Մոտ 880NM- ի թույլ եւ նեղ սպեկտրալ կլանման հատկությունները մեծ հետաքրքրություն են առաջացրել սպեկտրասալորեն կայուն բարձր պայծառության պոմպի դիոդների նկատմամբ: Այս ավելի բարձր կատարողական լազերները հնարավորություն են տալիս ուղղակիորեն մղել NeodyMium- ը անմիջապես 4F3 / 2-ի վերին լազերային մակարդակում, նվազեցնելով քվանտային դեֆիցիտները եւ դրանով իսկ բարելավել հիմնական ռեժիմի արդյունահանումը:

Այս դարի սկզբի սկզբին մենք ականատես ենք եղել մեկ լայնակի ռեժիմի 1064NM լազերների զգալի ուժի բարձրացման, ինչպես նաեւ տեսանելի եւ ուլտրամանուշակագույն ալիքի երկարություններում գործող դրանց հաճախության փոխակերպման լազերների: Հաշվի առնելով ND- ի վերին էներգիայի երկարությունը. YAG եւ ND: YAG եւ ND.