Rof Electro-Optic Modulator 1310NM ինտենսիվության մոդուլատոր 2.5 գ Mach-Zehnder Modulator
Հատկորոշում
Տեղադրման ցածր կորուստ
Թողունակություն. 2.5ghz
Low ածր կիսամյակային լարման
Անհատականացման տարբերակ
Ծրագիր
Rof համակարգեր
Քվանտային առանցքային բաշխում
Լազերային սենսացիոն համակարգեր
Կողմնակի մոդուլյացիա
| Պարամետր | Սիմվոլ | Թեփ | Տիպ | Մաքս | Ստորաբաժանում | |
| Գործող ալիքի երկարություն | l | 1290 | 1310 | 1330 | nm | |
| Տեղադրման կորուստ | IL | 4 | 5 | dB | ||
| Օպտիկական վերադարձի կորուստ | Կամլ | -45 | dB | |||
| Անջատիչ ոչնչացման հարաբերակցությունը @DC | Er @ dc | 20 | 23 | dB | ||
| Դինամիկ ոչնչացման հարաբերակցությունը | Դյութ | 13 | dB | |||
| Օպտիկական մանրաթել | Մուտքային նավահանգիստ | Վարչապետի մանրաթել (125/250 մմ) | ||||
| Արդյունքային նավահանգիստ | Վարչապետի մանրաթել կամ սմ մանրաթել (125/250 մմ) | |||||
| Օպտիկական մանրաթելային միջերես | FC / PC, FC / APC կամ անհատականացում | |||||
Էլեկտրական պարամետրեր
| Պարամետր | Սիմվոլ | Թեփ | Տիպ | Մաքս | Ստորաբաժանում | |
| Գործող թողունակություն (-3DB) | S21 | 2.5 | Գդա | |||
| Կես-ալիքի լարումը | RF | VΠ@ 1khz | 3 | 4 | V | |
| Ցողուն | VΠ@ 1khz | 3.5 | 4.5 | V | ||
| Էլեկտրական վերադարձի կորուստ | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| Մուտքային դիմադրություն | RF | Zrf | 50 | W | ||
| Ցողուն | Զարհուր | 1M | W | |||
| Էլեկտրական ինտերֆեյս | SMA (F) | |||||
Սահմանափակել
| Պարամետր | Սիմվոլ | Ստորաբաժանում | Թեփ | Տիպ | Մաքս |
| Մուտքային օպտիկական ուժ | PIN, Max | դդմ | 20 | ||
| Մուտքագրման RF Power | դդմ | 28 | |||
| կողմնակալության լարումը | Վիբի | V | -15 | 15 | |
| Գործառնական ջերմաստիճանը | Գագաթ | ℃ | -10 | 60 | |
| Պահպանման ջերմաստիճանը | Տ | ℃ | -40 | 85 | |
| Խոնավություն | RH | % | 5 | 90 |
Տեղեկատվություն պատվիրելու համար
| R | AM | 15 | 10 գ | XX | XX |
| Տեսակը: | Ալիքի երկարություն: | Գործող թողունակություն. | Ներքին մանրաթելային տեսակը. | Օպտիկական միակցիչ: | |
| AM - ինտենսիվություն | 08 --- 850NM | 2.5 գ --- 10GHz | PP --- Վարչապետ | FA --- FC / APC | |
| Մոդելատոր | 10 --- 1060NM | 10 գ --- 10GHz | PS --- PM / SMF | FP --- FC / PC | |
| 13 --- 1310NM | 20 գ --- 10GHz | Xx --- անհատականացում | |||
| 15 --- 1550NM |
Մեխանիկական դիագրամ
| Պորտ | Սիմվոլ | Նշում |
| In | Օպտիկական մուտքային պորտ | Վարչապետի մանրաթել (125 մմ / 250 մմ) |
| Դուրս | Օպտիկական ելքային պորտ | Վարչապետ եւ սմ ֆիլպի տարբերակ |
| RF | Rf մուտքային պորտ | SMA (F) |
| Ցողուն | Bias Control Port | 1,2 կողմնակալ, 34-Ն / գ |
Rofea Optoelectronic- ն առաջարկում է առեւտրային էլեկտրաօպտիկական մոդուլատների, փուլային մոդուլատորների, ինտենսիվության մոդուլյատորի, ֆոտոէներգետիկայի, լազերային լազերի աղբյուրների, DFB լազերային ուժեղացուցիչի, QPSK մոդուլյացիա, լազերային ուժեղացուցիչ, օպտիկական օդափոխիչ Լազերային, բեռնման լազերային, օպտիկական դետեկտոր, լազերային դիոդի վարորդ, մանրաթելային ուժեղացուցիչ: Մենք տրամադրում ենք նաեւ շատ հատուկ մոդուլատորներ հարմարեցման համար, ինչպիսիք են 1 * 4 զանգվածի փուլային մոդուլատորներ, ուլտրա-ցածր VPI եւ ծայրահեղ բարձր ոչնչացման հարաբերակցության մոդուլատորներ, որոնք հիմնականում օգտագործվում են բուհերում եւ ինստիտուտներում:
Հուսով եմ, որ մեր արտադրանքը օգտակար կլինի ձեզ եւ ձեր հետազոտությանը: