Rof EO մոդուլատոր Phase Modulator 20G բարակ թաղանթով լիթիումի նիոբատ մոդուլատոր
Առանձնահատկություն
■ ՌԴ թողունակություն մինչև 20/40 ԳՀց
■ Ցածր կես ալիքի լարում մինչև 3 Վ
■ Տեղադրման կորուստը մինչև 4,5 դԲ
■ Սարքի փոքր չափս
Պարամետր
| Կարգավիճակ | Փաստարկ | սիմ | Յունի | Աոինտեր | |
| Օպտիկական կատարում (@25°C) | Գործող ալիքի երկարություն (*) | λ | nm | ~ 1550 թ | |
| Օպտիկական վերադարձի կորուստ
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Օպտիկական ներդրման կորուստ (*) | IL | dB | ՄԱՔՍ:5.5 Տիպ:4.5 | ||
| Էլեկտրական հատկություններ (@25°C)
| 3 դԲ էլեկտրաօպտիկական թողունակություն (2 ԳՀց-ից | S21 | ԳՀց | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN:18 Տիպ:20 | MIN:36Տիպ:40 | ||||
| Rf կես ալիքի լարում (@50 կՀց)
| Vπ | V | ՄԱՔՍ:3.5 Տիպ:3.0 | ||
| Rf վերադարձի կորուստ (2 ԳՀց-ից մինչև 40 ԳՀց)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Աշխատանքային վիճակ
| Գործող ջերմաստիճանը | TO | °C | -20~70 | |
* հարմարեցված
Վնասի շեմը
| Aփաստարկ | սիմ | Sընտրովի | MIN | ՄԱՔՍ | Յունի |
| Rf մուտքային հզորություն | Մեղք | X2: 4 | - | 18 | դԲմ |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Rf մուտքային ճոճանակային լարում | Vpp | X2: 4 | -2.5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Rf մուտքագրման RMS լարումը | Վրմս | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Պահպանման ջերմաստիճանը | Փին | - | - | 20 | դԲմ |
| Օպտիկական մուտքային հզորություն | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Հարաբերական խոնավություն (առանց խտացման) | RH | - | 5 | 90 | % |
Եթե սարքը գերազանցի վնասի առավելագույն շեմը, դա անդառնալի վնաս կհասցնի սարքին, և սարքի այս տեսակի վնասը չի ծածկվում տեխնիկական սպասարկման կողմից:
S21 թեստային նմուշ (40 ԳՀց բնորոշ արժեք)
S21&S11
Պատվերի մասին տեղեկություններ
Նիհար թաղանթով լիթիումի նիոբատ 20 ԳՀց/40 ԳՀց փուլային մոդուլատոր
| ընտրելի | Նկարագրություն | ընտրելի |
| X1 | 3 դԲ էլեկտրաօպտիկական թողունակություն | 2or4 |
| X2 | Առավելագույն ՌԴ մուտքային հզորություն | 4or5 |
Մեր մասին
Rofea Optoelectronics-ն առաջարկում է մի շարք առևտրային ապրանքներ, այդ թվում՝ էլեկտրաօպտիկական մոդուլատորներ, փուլային մոդուլատորներ, լուսանկարչական դետեկտորներ, լազերային աղբյուրներ, DFB լազերներ, օպտիկական ուժեղացուցիչներ, EDFAs, SLD լազերներ, QPSK մոդուլյացիա, իմպուլսային լազերներ, լուսանկարչական դետեկտորներ, բալանսավորված լուսանկարահանող սարքեր: վարորդներ, մանրաթել կցորդիչներ, իմպուլսային լազերներ, օպտիկամանրաթելային ուժեղացուցիչներ, օպտիկական հզորության հաշվիչներ, լայնաշերտ լազերներ, կարգավորվող լազերներ, օպտիկական հետաձգման գծեր, էլեկտրաօպտիկական մոդուլատորներ, օպտիկական դետեկտորներ, լազերային դիոդային դրայվերներ, մանրաթելային ուժեղացուցիչներ, էրբիումով դոպավորված մանրաթելային ուժեղացուցիչներ և լազերային լույսի աղբյուրներ:
LiNbO3 ֆազային մոդուլյատորը լայնորեն օգտագործվում է բարձր արագությամբ օպտիկական կապի համակարգերում, լազերային զոնդավորման և ROF համակարգերում՝ լավ էլեկտրաօպտիկական ազդեցության պատճառով: R-PM շարքը, որը հիմնված է Ti-diffused և APE տեխնոլոգիայի վրա, ունի կայուն ֆիզիկական և քիմիական բնութագրեր, որոնք կարող են բավարարել լաբորատոր փորձերի և արդյունաբերական համակարգերի ամենաշատ կիրառման պահանջները:
Rofea Optoelectronics-ն առաջարկում է առևտրային էլեկտրաօպտիկական մոդուլատորների, փուլային մոդուլատորների, ինտենսիվության մոդուլատորների, ֆոտոդետեկտորների, լազերային լույսի աղբյուրների, DFB լազերների, օպտիկական ուժեղացուցիչների, EDFA, SLD լազերների, QPSK մոդուլյացիաների, զարկերակային լազերային, լույսի դետեկտոր, հավասարակշռված ֆոտոդետեկտորների արտադրանքի շարք: , Օպտիկամանրաթելային ուժեղացուցիչ, Օպտիկական հզորություն մետր, Լայնաշերտ լազեր, Կարգավորվող լազեր, Օպտիկական դետեկտոր, Լազերային դիոդի վարորդ, Օպտիկամանրաթելային ուժեղացուցիչ: Մենք նաև տրամադրում ենք շատ հատուկ մոդուլատորներ անհատականացման համար, ինչպիսիք են 1*4 զանգվածի փուլային մոդուլատորները, ծայրահեղ ցածր Vpi և գերբարձր մարման հարաբերակցության մոդուլատորները, որոնք հիմնականում օգտագործվում են համալսարաններում և ինստիտուտներում:
Հուսով ենք, որ մեր արտադրանքը օգտակար կլինի ձեզ և ձեր հետազոտությանը:
